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电子元器件详细资料 » IC[28697] » SI4567DY-T1-E3
型号:SI4567DY-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型N 和 P 沟道
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)40V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.1A,3.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C60 毫欧 @ 4.1A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.2V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs12nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds355pF @ 20V
功率_最大1.85W,1.95W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装Digi-Reel®

SI4567DY-T1-E3相关型号

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